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等离子体化学气相沉积及磁控溅射系统
 
设备简介
本设备为等离子体化学气相沉积与磁控溅射系统连体设备,两个腔体共用一套真空系统。等离子体化学气相沉积主要用于半导体行业生产所须的Si3N4,SiO2薄膜或聚合物薄膜以及碳纳米管等的生长。特点是成膜温度底、速度快、薄膜质量好。由进出片室系统、沉积室( P/N室、I室、热丝室等)、气路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成 。磁控溅射系统主要用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜,如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料 。主要由溅射室、磁控溅射靶、对向磁控靶、射频电源、直流电源、样品加热转台、真空获得及测量系统、电控系统、气路系统、微机控制膜层系统等组成。
 
 设备性能指标
 系统极限真空度: 优于6.67*10-5Pa,等离子体化学气相沉积真空室有效尺寸 Φ400mm*300mm;电极板尺寸Φ100mm(4英寸),样品盘尺寸Φ100mm(4英寸),加热温度室温~1000℃. 热丝架由4根组成,可拆卸,可加直流大电流,80V,60A. 灯丝表面温度:室温~1600℃。
磁控溅射系统 真空室为Φ450mm*300mm,电动上盖提升结构。磁控靶尺寸为2英寸,共有三个靶位, 有水冷,靶在下,样品在上,靶与样品距离40-80mm可调。样品台基片尺寸为30mm,基片最高加热温度为800℃,由热电偶闭环反馈控制。样品可加负偏压(200V),可自转,手动控制样品挡板组件。

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