设备简介

   本设备为等离子体化学气相沉积与磁控溅射系统连体设备，两个腔体共用一套真空系统。等离子体化学气相沉积主要用于半导体行业生产所须的Si3N4，SiO2薄膜或聚合物薄膜以及碳纳米管等的生长。特点是成膜温度底、速度快、薄膜质量好。由进出片室系统、沉积室（ P/N室、I室、热丝室等）、气路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成 。磁控溅射系统主要用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜，如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料 。主要由溅射室、磁控溅射靶、对向磁控靶、射频电源、直流电源、样品加热转台、真空获得及测量系统、电控系统、气路系统、微机控制膜层系统等组成。

设备性能指标

   系统极限真空度： 优于6.67*10-5Pa，等离子体化学气相沉积真空室有效尺寸 Φ400mm*300mm；电极板尺寸Φ100mm（4英寸），样品盘尺寸Φ100mm（4英寸），加热温度室温～1000℃. 热丝架由4根组成，可拆卸，可加直流大电流，80V,60A. 灯丝表面温度：室温～1600℃。

   磁控溅射系统 真空室为Φ450mm*300mm，电动上盖提升结构。磁控靶尺寸为2英寸，共有三个靶位， 有水冷，靶在下，样品在上，靶与样品距离40-80mm可调。样品台基片尺寸为30mm，基片最高加热温度为800℃，由热电偶闭环反馈控制。样品可加负偏压（200V）,可自转，手动控制样品挡板组件。